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光刻技术



光刻技术第13期 | 矢量SMO的SD优化算法

深度剖析矢量SMO的SD优化算法

光刻技术第12期 | 矢量OPC数值计算与分析2

由于实际光刻系统在成像过程中往往存在离焦和曝光量变化等工艺变化因素。为了扩大PW提高光刻系统对离焦和曝光量变化的稳定性选择合适的式子作为像质评价函数，进行仿真计算与分析。

光刻技术第11期 | 矢量OPC数值计算与分析1

验证矢量OPC技术对最佳焦面成像保真度的提升效果，对比WP罚函数与GWP罚函数的性能差异。

光刻技术第10期 | 矢量OPC的优化算法

光刻系列第10期，深度剖析矢量OPC的优化算法

光刻技术第8期 | 二维与三维矢量成像模型对比-零波像差非双远心成像

光刻系列第8期，深度剖析零波像差非双远心成像

光刻技术第7期 | 二维与三维矢量成像模型对比-零波像差双远心成像

光刻系列第7期，深度剖析零波像差双远心成像

光刻技术第6期 | 三维严格矢量光刻成像

光刻系列第6期，深度剖析三维严格矢量光刻成像

光刻技术第5期 | 二维矢量光刻成像

光刻系列第5期，深度剖析二维矢量光刻成像

光刻技术第4期 | 光刻成像理论

光刻系列第4期，深度剖析光刻成像理论

光刻技术第3期 | 光刻中的SMO技术

随着半导体技术节点向28纳米以下持续缩小，仅依靠光学邻近效应修正（OPC）已无法满足光刻分辨率和工艺窗口的要求。

光刻技术第2期 | 光刻中的OPC技术

光学邻近修正（Optical Proximity Correction，简称OPC）是半导体制造领域中应用广泛的光刻分辨率增强技术。

光刻技术第1期 | 计算光刻技术介绍

武汉二元科技深谙光刻技术的核心作用，未来将深耕计算光刻领域，此文章为该系列第一篇，后续将持续更新计算光刻系列文章，推动计算光刻技术突破，助力光电产业发展。

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